美国VALTEK定位器070136.999.000-J福斯FLOWSERVE

BECKHOFF Ser.Nr:17113K15 KL3403
TWK RAW36A-090K8WB15
PMA NVBV-M253-11
HBM AE101
SCHUNK 0362232 SRU-plus 40-W-180-3-M-8
MOOG D634-514AR40K02F0VSP2
MSS OMD/Se-0910/L
EGE P50003
MOOG D765-1096 S63JXGMEUSX0
ORMEC MAC-G010A1/E3B
EITRA EA58C3600Q8/28PPX10X3PDR
ODU 610.021.600.000
CSM ART0020711
HOFFMANN 659950-TX8
ZF 00005418
DATASENSOR S50-PA-5-F01-PP
Sahlberg 554799 GM-Puffer B 30x20 M8x10 NR 40 ShA
JUMO 00049709
FLUID TEAM ZEPDR3-06-115-1-24V
JM CONCEPT XALIS  9000U1
HEIDENHAIN DSLHEI746721-06
JUMO 00049709
TKD FESTOONFLEX C-PUR-HF 1×95
ODU 611.017.017.600.000

所描述的测量适配器如图5所示，为一种正反面过孔直通结构的pcb板，接口形式为平面铜质焊盘2031、2032，正面接口为测试系统所要求的标准焊盘pogopad2033，通过过孔直连至背面的测试pad2034，背面pad2034形状分为正方形和圆形，以作信号接口和gnd接口区分，方便机械切换装置对其进行图像识别和探头对准。

通过上述的结构和原理的描述，所属技术领域的技术人员应当理解，本发明不局限于上述的具体实施方式，在本发明基础上采用本领域公知技术的改进和替代均落在本发明的保护范围，本发明的保护范围应由各项权利要求及其等同物限定之。说明书中未阐述的部分均为现有技术或公知常识。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

磁电阻传感器在正常使用时存在着1/f噪声，降低磁电阻传感器的噪声以及发展低噪声磁电阻传感器对于提高磁信号的jingque测量具有重要的意义。

一般情况下，磁电阻传感器在低频时具有高的1/f噪声，而在高频时则以热噪声为主，其噪声能量密度大大低于低频时的噪声能量密度。目前多选择将磁信号预先调制成高频磁场，再被磁电阻传感器测量以输出高频电压信号，而后进行解调，可以实现将磁信号测量从低频区域移动到高频区域的目的，降低1/f噪声能量密度。

现有高频磁信号测量装置使得磁电阻传感器的复杂程度和尺寸大为增加，工艺复杂程度也大为增加。

申请号为us/365,398的美国专利申请公开了一种磁阻传感器方法和装置，用于调制磁传感器感测的磁通，该申请包括至少一个附接至基座结构的磁传感器、旋转构件，以及至少一个安装在旋转构件上的通量集中器，随着旋转构件的旋转，至少一个磁通集中器屏蔽了磁传感器，从而调制了至少一个磁传感器的输出。该申请使用一个tmr传感器芯片实现两轴传感器，其结构尺寸复杂。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种旋转碟式磁场强探头，以解决测量结构复杂的问题。

本发明实施例提供了一种旋转碟式磁场强探头，包括：