可以是，磁传感器模块为磁阻元件。磁阻元件可以是，第1磁传感器、第2磁传感器以及第3磁传感器构成惠斯通电桥电路。
(技术方案13)
第1磁传感器配置为，至少局部重叠于由第1线圈产生的磁场Zui大的位置第2磁传感器配置为，至少局部重叠于由第2线圈产生的磁场Zui大的位置。
上述的发明内容并没有列举本发明所需的全部特征。这些特征组的子组合也能够成为发明。
图1表示说明本实施方式的磁传感器模块10的功能的框图。
图2表示本实施方式的磁传感器模块10的概略图。
图3表示本实施方式的ic芯片200的俯视图。
图4表示本实施方式的第1线圈210和第2线圈220的俯视图。
图5表示本实施方式的第3线圈230的俯视图。
图6表示本实施方式的磁传感器芯片100的俯视图。
图7表示本实施方式的第1磁传感器110等的等效电路的一个例子。
图8表示图2所示的磁传感器模块10的剖面s(点划线)的垂直剖面的概略图。
图9表示本实施方式的磁传感器模块10的处理流程的一个例子。
以下通过发明的实施方式来说明本发明，但以下的实施方式并不限定与权利要求相关的技术方案。在实施方式中说明的特征的组合的全部内容对于发明的解决方案而言并非都是必须的。
图1表示说明本实施方式的磁传感器模块10的功能的框图。本实施方式的磁传感器模块10利用内置于ic芯片的线圈，给予磁传感器均匀的校准磁场，由此对磁传感器进行灵敏度调整。磁传感器模块10具有磁传感器芯片100和ic芯片200。像后述那样，磁传感器模块10还包括搭载基板300等，但在图1的说明中省略。
磁传感器芯片100测量外部磁场。可以是，磁传感器芯片100具有1个以上的多个磁传感器，由此检测1个以上的轴向的磁气。例如，磁传感器芯片100具有第1磁传感器110、第2磁传感器120以及第3磁传感器130。
DMG-03-3D12-50 DMG-03-2D2-50 DMG-03-2B2-50 DMG-03-2B3-50
DMG-03-2B8-50 DMG-04-3C2-21 DMG-04-3C3-21DMG-04-3C4-21
DMG-04-3C40-21 DMG-04-3C5-21 DMG-04-3C6-21 DMG-04-3C60-21
DMG-04-3C7-21 DMG-04-3C8-21 DMG-04-3C9-21DMG-04-3C10-21
DMG-04-3C11-21 DMG-04-3C12-21 DMG-04-3D2-21 DMG-04-3D3-21
DMG-04-3D4-21 DMG-04-3D40-21 DMG-04-3D5-21DMG-04-3D6-21
油研YUKEN手动换向阀部分型号如下：
DMT-03-2B2-50， DMT-03-3D2-50，DMT-03-3C2-50，DMT-03-3C4-50，
DMT-03-3C40-50，DMT-03-3C60-50，
DMT-06-2B2-30， DMT-06-3D2-30，DMT-06-3C2-30，DMT-06-3C4-30，
DMT-06-3C40-30，DMT-06-3C60-30，
DMT-10-2B2-30， DMT-10-3D2-30，DMT-10-3C2-30，DMT-10-3C4-30，
DMT-10-3C40-30，DMT-10-3C60-30，