可选x轴磁阻传感器、y轴磁阻传感器、z轴磁阻传感器均为隧道磁阻线性传感器。
如图10所示可选外部处理电路包括第一锁相电路24、第二锁相电路28和第三锁相电路26；y轴磁阻传感器5和6的测量信号经过第一电容20耦合输出到第一锁相电路24，x轴磁阻传感器7和8的测量信号经过第二电容22耦合输出到第二锁相电路28，z轴磁阻传感器9的测量信号经过第三电容21耦合输出到第三锁相电路26，其中，锁相电路均包含混频器和低通滤波器，第一锁相电路24和第二锁相电路28的低通滤波器的截止频率均小于4n×f，第三锁相电路26的低通滤波器的截止频率小于m×f。
可选外部处理电路还包括前置放大器，前置放大器设置在电容和锁相电路之间。如图11所示，待测量物理量43即测量信号经过调制传感器44形成频率为f的信号，其中包括高频载波信号源vac和与其相应的传感器441。锁相电路42可选为锁相放大器或锁相环，包括混频器421和低通滤波器422，调制传感器44输出的调制信号经过一个带噪声放大器45进行信号放大，得到信号频率为f的信号，其中，噪声放大器45即为前置放大器。高频载波信号源vac直接输出一个具有频率为f信号的同频率参考信号，该参考信号输入到混频器421，混频后得到一个高频信号和一个低频信号，而后通过低通滤波器422去掉低频部分。由于噪声信号不会发生频移，放大器45的噪声也被过滤掉，Zui后得到没有放大器噪声的高频输出信号46。
如图10所示可选第一参考信号分别连接到第一锁相电路24和第二锁相电路28，第一锁相电路24输出与外磁场h的y轴磁场分量对应的vy信号，第二锁相电路28输出与外磁场h的x轴磁场分量对应的vx信号；第二参考信号连接到第三锁相电路26，第三锁相电路26输出与外磁场h的z轴磁场分量对应的vz信号。可选锁相电路为图中所示锁相放大器。
如上所述，第一光入射孔10(1)在第一发光元件161的照射下，第一光电探测器14将非磁性转轮2旋转的频率f转变成4n×f的第一参考信号。第二光入射孔11(1)在第二发光元件162的照射下，第二光电探测器15将非磁性转轮2旋转的频率f转变成m×f的第二参考信号。其中，第一参考信号分别传输至触发器23和触发器27，经触发器23输入到锁相放大器24的参考信号输入端，用于后续得到对应y轴磁阻传感器的测量信号，经触发器27输入到锁相放大器28的参考信号输入端，用于后续得到对应x轴磁阻传感器的测量信号。第二参考信号被传输至触发器25，经触发器25输入到锁相放大器26的参考信号输入端，用于后续得到对应z轴磁阻传感器的测量信号。
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