ASCO气动阀L12BA452BG00061上诉过程本质上就是一个电容瞬时充电放电的过程，电流先给电容c11充电，由于rc很大，在充电过程中r3上流过的电荷可以忽略，所有电荷被电容吸收，c11电压达到顶峰。电容充满时，其内部电荷沿着rc回路放电，c11的电压按指数下降，经过rc采集电路之后的信号如图12所示。地，如图13，所述信号处理模块包括六路施密特触发反向器u3，其中：sn74hc14n型六路施密特触发反向器u3的1a引脚通过电阻r21后连接到1n4728a系列3.3v稳压二极管z1的负极，所述稳压二极管z1的正极接地，六路施密特触发反向器u3的1y引脚通过通过电阻r22后连接到核心处理器，六路施密特触发反向器u3的1y引脚还通过电容c13后接地，六路施密特触发反向器u3的vcc引脚连接到电源模块，六路施密特触发反向器u3的vcc引脚还通过电容c14后接地。稳压二极管在该电路中起到上限幅二极管的作用，限幅的目的是保护sn74hc14n，以免接收的信号幅度过大导致其损坏。使用时，稳压管正极接地，负极串联一个电阻接入信号电路。1n4728a进入稳压区的Zui小电流是76ma，经计算将r21电阻阻值取值为33ω，既能够保证稳压管电流达到稳压区Zui小电流，又不会使稳压管功率过大而损坏。sn74hc14n是6路施密特触发反向器，其特点是低功耗，速度快。它可以将抖动的输入信号转换成稳定清晰的输出信号。sn74hc14n的关键电气参数如下：电源电压vcc：2～6v；电源电流icc：20μa(Zui大)；输入嵌位电流iik：±20ma；输入电压ii：vcc(Zui大)；延迟时间tpd+tt：50ns(Zui大)。其中延迟时间包括信号在器件内的传播延时tpd和转换延时tt。在实验时，我们主要关注的是翻转阈值电压vt+，根据数据手册，其vt+电气特性见表4。表4sn74hc14n的输入电压是3.3v，理论上可得其触发Zui小阈值电压约为1.15v，Zui大值约为2.4v，而我们所使用的卤素盖革管产生的正常脉冲幅度平均在6v左右，满足触发反向条件，sn74hc14n的应用曲线如图14所示。地，如图15，高低压切换模块用于让gm计数器在“工作”状态与“预工作”状态之间来回切换，实际上就是控制gm计数器阳极的电压在380v和260v两个值之间发生瞬态跳变。该模块所需要的关键元器件有tlp250和irfbc40。所述高低压切换模块通过控制gm计数器阳极连接到的电压大小从而调节gm计数器的工作状态，高低压切换模块主要包括光耦合器ph1和mosfet管q1，其中：光耦合器ph1的2号引脚通过电阻r4后连接到核心处理器的高低压切换引脚，光耦合器ph1的3、8号引脚接地，光耦合器ph1的vcc引脚接电源模块，光耦合器ph1的vcc引脚还连接一个电容c12后接地；光耦合器ph1的1、4、7号引脚悬空，光耦合器ph1的6号引脚通过电阻r5后并接到电阻r6和mosfet管q1的b极，所述电阻r6的另一端连接到发光二极管led2的正极，发光二极管led2的负极接地，mosfet管q1的c极通过电阻r2后并接到电阻r1和gm计数器阳极，mosfet管q1的e极接地。tlp250光耦合器内部由一个砷化镓铝红外光电二极管和一个集成光探测器构成。当二极管发光时，光探测器连接的两端导通从而实现开关作用。tlp250适合于栅极驱动的igbt管和功率mosfet管，tlp250的关键电气参数如表5所示。序号名称参数说明1输入阈值电流if5ma(Zui大)2电源电流icc11ma(Zui大)3电源电压vcc10～35v4输出电流io±0.5a(Zui大)5开关时间tplh/tphl0.45μs(Zui大)表5irfbc40是n沟道功率金属-氧化物半导体场效应晶体管，具有耐高压、驱动方式简单、导通电阻小、开关速度快、安全工作区宽、无热击穿效应等优点。其关键电气参数如下：漏源击穿电压vdss：600v；漏极电流id：2a；开启电压vgs：±20v；导通电阻rds：1.2ω；导通延迟时间td(on)：18ns；关断延迟时间td(off)：15ns。
