台湾EALY弋力高压双联叶片泵PV2R13-94/23 VGPE-F30A-PA-10

VVPE-F8A-8A-10,VVPE-F8B-8B-10在步骤406中，icdm将来自ifrm的所述一个或多个优化流入控制装置设计与一个或多个场景相耦合，以创建分级的优化流入控制装置设计的集合。在该步骤之后，在图4的步骤408中，icdm系统400显示分级的优化流入控制装置设计的集合，用户基于在用户输入的数据中定义的井优化目标从所述集合中选择优选的优化流入控制装置设计。icd的配置考虑了诸如由用户设置的通量(flux)平衡和含水量减少以及渗透率、水饱和度和孔隙度的信息。

高压双联叶片泵PV2R12-26/31  PV2R12-33/10  PV2R12-41/23 PV2R12-59/31  PV2R12-53/17

PV2R12-41/23  PV2R12-47/23  PV2R12-33/19 PV2R12-59/31

PV2R12-59/12  PV2R12-65/28  PV2R12-59/23 PV2R12-33/33

PV2R12-31/26  PV2R12-53/28  PV2R12-65/28 PV2R13-52/31

PV2R13-60/28  PV2R13-66/25  PV2R13-76/23 PV2R13-94/19

PV2R13-116/31 PV2R13-8/52   PV2R13-66/14 PV2R13-23/116

PV2R13-94/23  PV2R13-116/28 PV2R13-94/25

PV2R23-52/116 PV2R23-60/33  PV2R23-66/41  

PV2R23-53/66  PV2R23-65/116 PV2R23-53/94  

PV2R23-116/63 PV2R23-66/53

VVPE-F8A-8A-10,VVPE-F8B-8B-10

VVPE-F8C-8C-10,VVPE-F8D-8D-10,

VVPE-F12A-12A-10,VVPE-F12B-12B-10

VVPE-F12C-12C-10,VVPE-F12D-12D-10

图5是示出根据一个或多个实施例的示例计算机系统(或“系统”)1000的示图。在一些实施例中，系统1000是可编程逻辑控制器(plc)。系统1000可包括存储器1004、处理器1006和输入/输出(i/o)接口1008。存储器1004可包括非易失性存储器(例如，闪存、只读存储器(rom)、可编程只读存储器(prom)、可擦除可编程只读存储器(eprom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom))、易失性存储器(例如，随机存取存储器(ram)、静态随机存取存储器(sram)、同步动态ram(sdram))和大容量存储器(例如，cd-rom或dvd-rom、硬盘驱动器)中的一个或多个。存储器1004可包括非暂时性计算机可读存储介质，所述非暂时性计算机可读存储介质具有存储在其上的程序指令1010。程序指令1010可包括程序模块1012，程序模块1012可由计算机处理器(例如，处理器1006)执行以促使所述的功能操作，诸如关于icd系统100和方法400中的至少一个或它们二者所述的那些功能操作。