装置克服了现有技术的不足,通过低阻帽实现了电机定子线圈的内屏蔽,装置结构简单,工艺方便,制造成本低,有效降低了定子线圈内部Zui大电场强度,有效屏蔽了胶化线圈内部放电,有效降低了定子线圈的介损增量。
图1为本实施例提供的电机定子线圈低阻帽内屏蔽结构剖面图,所述的电机定子线圈低阻帽内屏蔽结构包括胶化线圈3,胶化线圈3的两侧宽面上设有露铜点2,胶化线圈3每隔一定距离倒角至露铜点2(即:使胶化线圈3内的铜线与露铜点2电连接),间隔距离可根据具体的情况自行设置。用上、下两张低阻帽1分别覆盖于胶化线圈3的上、下窄面上,且低阻帽1与胶化线圈3两侧宽面上的露铜点2接触。
本实施例提供的电机定子线圈低阻帽内屏蔽结构中,低阻帽1通过与胶化线圈3的露铜点2的接触,实现与胶化线圈3的铜线的电连接,使低阻帽1与胶化线圈3的铜线形成等电位,从而使换位填充不承受电应力,达到屏蔽胶化线圈内部放电、增大定子线圈内电极R角、均匀电场强度的目的。
本实施例提供的电机定子线圈低阻帽内屏蔽结构克服了现有技术的不足,通过低阻帽实现了电机定子线圈的内屏蔽,结构简单,工艺方便,制造成本低,有效降低定子线圈内部Zui大电场强度,有效屏蔽了胶化线圈内部放电,有效降低了定子线圈的介损增量。
应当理解的是,在本说明书中提到或者可能提到的上、下、左、右、前、后、正面、背面、顶部、底部等方位用语是相对于各附图中所示的构造进行定义的,它们是相对的概念,有可能会根据其所处不同位置、不同使用状态而进行相应地变化。也不应当将这些或者其他的方位用语解释为限制性用语。
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DXP-Z21GNEB
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