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ERJ3EKF5230V、V62/03607-02XE、KD3008-CF10A、DSA1001DL2-087.0655TVAO、TLV320AIC3104IRHBR、LT3088HM#PBF、R5F11B7CANA、24LCS21A-I/SN、CD74AC161M96、TCR5SB45、GXM31MR61E106KA10#、74AHC1G125DCKRE4、2PA1774SM、LTC1562CG-2#TRPBF、XCZU3EG-L2SFVA484E、YSF-272+、ERJXGNF3242Y、AP2121N-3.2TRE1、BD62321HFP、5962-9688201Q2A、CS0805KRX7R9BB682、D9DCB、ERA3VRB1021V、TL16C554APN、MCP103T-450E/LB、EEUEB1J2R2SB、AD8400ARZ1、PCA9654EDR2G、LT8609AEMSE#WTRPBF、ERG3FJS120E、ERJ12NF1601U、EEVFK2A151V、BU2098F、NVMFS5C456NLWFAFT1G、HF105F-1/005DT-1DST、HCPL0731、ERJL06UF76MV、MT38M4041A3034EZZI.XK6、ERJHP6D2943V、FDP075N15A-F102、ADG751BRTZ-REEL7、GQM1555C2D3R1CB01#、P6KE56CA-G、XAZU3EG-1SBVA484I、ERJS08D7502V、AD713JRZ-16-REEL、JY930、BGU7063,115、ATV04A220J-G、XCKU9P-2FIGE900E、MCF51AC128CCPUE、ERJS12D6813U、MIC4451YM、SAK-TC234L-32F200N、FDP150N10A-F102、SN65HVD233QDRQ1、ERA3AEB1871V、ECHU1H563GX9、C0603CH1H020C030BA、SN74GTLP1394PW、TSV914AIPT、Si566、C1608CH2A472K080AC、MC33772BTC0AE、MHQ1005PR13GTD25、MAX1989、GRM1885C2E150GW07#、TAJV336M035RNJ、SN75372D、SGM2036-1.0YN5G/TR、NVMFS5C404NAFT1G、MGF4953B、ADV7282WBCPZ-M-RL、XC4VFX60-12FFG1152C、BZX79-C39、47C04T-I/SN、MT29F256G08CKCDBJ5-6QES:D、HF13F/A060-2H1T、ERJXGNF1870Y、MPC8270VVUPEA、WBXU80MDFAAM-NA4PD、MCP3021A5T-E/OT、HF116F-1/048DA-1HT、5SGXMA3K2F35C2N、CY8C4745AZI-S403、HFE19-60/9DT41、NCP81296MNTXG、GQM1875C2ER60CB12#、ADT2-1T-1P+、CC0805JKNPO8BN682、CL05B153KO5NNNC、GRM219R71E274KA01#、HF13F/048-2Z5TGD、ERJS08J3R0V、ESR18EZPD、SSM6P35AFE、ERA6VEB75R0V、C4532JB1H685K250KA、3B18-02、ERJHP6F1051V
PN结如下图所示：在P型和N型半导体的交界面附近，由于N区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由N区向电子浓度低的P区扩散，扩散的结果使PN结中靠P区一侧带负电，靠N区一侧带正电，形成由N区指向P区的电场。即PN结内电场。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻档层。下面分两种情况讨论PN结的导通特性。PN结加上正向电压将PN结的P区接电源正极，N区接电源负极，在正向电压作用下，PN结中的外电场和内电场方向扩散运动和漂移运动的平衡被破坏，内电场被削弱，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动大大地超过了少数载流子的漂移运动，多数载流子很容易越过PN结，形成较大的正向电流，PN结呈现的电阻很小，处于导通状态。
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